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平尚詳細闡明晶體三極管的特征曲線


 1、輸出特征
  三極管的輸出特征曲線,它示意Ib隨Ube的變革干系,其特性是:1)當Uce在0-2伏范疇內,曲線和外形與Uce 有關,但當Uce高于2伏后,曲線Uce根本有關平日輸出特征由兩條曲線(Ⅰ和Ⅱ)示意。
  2)當Ube<UbeR時,Ib≈O稱(0~UbeR)的區段為“死區”當Ube>UbeR時,Ib隨Ube增長而增長,縮小時,三極管事情在較直線的區段。
  3)三極管輸出電阻,界說為:
  rbe=(△Ube/△Ib)Q點,其預算公式為:
  rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏)
  rb為三極管的基區電阻,對低頻小功率管,rb約為300歐。
  2、輸入特征
  輸入特征示意Ic隨Uce的變革干系(以Ib為參數)特征可見,它分為三個地區:停止區、縮小區和飽和區。
  停止區 當Ube<0時,則Ib≈0,發射區沒有電子注入基區,但因為分子的熱活動,集電集仍有小量電流暢過,即Ic=Iceo稱為穿透電流,常溫時Iceo約為幾微安,鍺管約為幾十微安至幾百微安,它與集電極反向電流Icbo的干系是:
  Icbo=(1+β)Icbo
  常溫時硅管的Icbo小于1微安,鍺管的Icbo約為10微安,關于鍺管,溫度每降低12℃,Icbo數值增長一倍,而關于硅管溫度每降低8℃,Icbo數值增大一倍,固然硅管的Icbo隨溫度變革猛烈,但因為鍺管的Icbo值自身比硅管大,以是鍺管依然受溫度影響較緊張的管,縮小區,當晶體三極管發射結處于正偏而集電結于反偏事情時,Ic隨Ib類似作線性變革,縮小區是三極管事情在縮小形態的地區。
  飽和區 當發射結和集電結均處于正偏形態時,Ic根本上不隨Ib而變革,得到了縮小功用。依據三極管發射結和集電結偏置狀況,大概鑒別其事情形態。
  三極管的輸出特征與輸入特征
  停止區和飽和區是三極管事情在開關形態的地區,三極管和導通時,事情點落在飽和區,三極管停止時,事情點落在停止區。

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